電子束蒸發(fā)鍍膜

利用高速電子束加熱使材料汽化蒸發(fā)，在基片表面凝結成膜的技術(shù)。電子束熱源的能量密度可達104-109w/cm2，可達到3000℃以上，可蒸發(fā)高熔點(diǎn)的金屬或介電材料如鎢、鉬、鍺、SiO2、AL2O3等。

電子束加熱的蒸鍍源有直槍型電子槍和e型電子槍兩種(也有環(huán)行)，電子束自源發(fā)出，用磁場(chǎng)線(xiàn)圈使電子束聚焦和偏轉，對膜料進(jìn)行轟擊和加熱。

感應加熱式蒸發(fā)鍍膜

利用高頻電磁場(chǎng)感應加熱，使材料汽化蒸發(fā)在基片表面凝結成膜的技術(shù)。

優(yōu)點(diǎn)蒸發(fā)速率大，可比電阻蒸發(fā)源大10倍左右  蒸發(fā)源的溫度穩定，不易產(chǎn)生飛濺現象坩堝溫度較低，坩堝材料對膜導污染較少缺點(diǎn)蒸發(fā)裝置必須屏蔽造價(jià)高、設備復雜

在真空中，高能粒子轟擊材料表面，使其原子獲得足夠的能量而逸出表面，到達襯底凝結成膜的技術(shù)。

與真發(fā)鍍膜相比，濺射鍍膜適用于所有（包括高熔點(diǎn)）材料，具有附著(zhù)力強、成分可控、易于規?；a(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。

但其工作氣壓低于蒸發(fā)鍍膜，因此膜層的含氣量和孔隙率大于蒸發(fā)鍍膜。

離子鍍

在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離，并在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下，將蒸發(fā)物質(zhì)或其反應物沉積在基片上的方法?？蓪㈦x子發(fā)生源與工作室分離，克服了濺射鍍膜為了持續放弧而必須保持較高的工作氣壓的缺陷，高能離子對襯底和沉積薄膜表面的轟擊保證了薄膜的附著(zhù)力和質(zhì)量，是一種結合了蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜優(yōu)勢的PVD技術(shù)。

根據離化方式的不同，常用的離子源有考夫曼離子源、射頻離子源、霍爾離子源、冷陰極離子源、電子回旋離子源等。